HP8MC5TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8MC5TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 20W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HP8MC5TB1 за ціною від 37.43 грн до 155.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HP8MC5TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HP8MC5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HP8MC5TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
на замовлення 4967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HP8MC5TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |