Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > HP8S36TB

HP8S36TB

Код товару: 174887

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції HP8S36TB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
HP8S36TB	Rohm Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 29W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн.
HP8S36TB	Rohm Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 29W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Not For New Designs	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HP8S36TB	ROHM Semiconductor	MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн.

HP8S36TB

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 29W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

HP8S36TB

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 29W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HP8S36TB

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.