HP8S36TB Rohm Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 196+ | 64.67 грн |
| 250+ | 62.08 грн |
| 500+ | 59.83 грн |
| 1000+ | 55.82 грн |
| 2500+ | 50.16 грн |
| 5000+ | 46.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8S36TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 29W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції HP8S36TB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
HP8S36TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
HP8S36TB Код товару: 174887 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
HP8S36TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|
|
|
HP8S36TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|
 |
HP8S36TB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET |
товару немає в наявності |