HS1AL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
304+ | 1.91 грн |
361+ | 1.61 грн |
364+ | 1.59 грн |
367+ | 1.52 грн |
534+ | 0.97 грн |
541+ | 0.92 грн |
702+ | 0.71 грн |
1000+ | 0.57 грн |
3000+ | 0.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1AL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.
Інші пропозиції HS1AL RVG за ціною від 16.64 грн до 47.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HS1AL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
HS1AL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 5517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
HS1AL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
HS1AL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 50V Hi Eff Recov Rectifier |
товар відсутній |