HS1AL RVG Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 274+ | 2.75 грн |
| 415+ | 1.82 грн |
| 419+ | 1.80 грн |
| 424+ | 1.71 грн |
| 625+ | 1.08 грн |
| 630+ | 1.02 грн |
| 809+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.72 грн |
| 3000+ | 0.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1AL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Sub SMA, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HS1AL RVG за ціною від 17.82 грн до 51.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HS1AL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMACurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HS1AL RVG | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 50V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 5512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1042 шт В кошику од. на суму грн. |
| HS1AL RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.03 грн |
| 10+ | 41.84 грн |
| 100+ | 31.27 грн |
| 500+ | 23.06 грн |
| 1000+ | 17.82 грн |
| HS1AL RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 50V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
Diode Switching 50V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)