HS1B Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 1.88 грн |
| 25000+ | 1.66 грн |
| 50000+ | 1.59 грн |
| 100000+ | 1.42 грн |
| 200000+ | 1.28 грн |
| 500000+ | 1.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1B Yangjie Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HS1B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HS1B | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM |
товару немає в наявності |