
HS1B Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 1.96 грн |
25000+ | 1.73 грн |
50000+ | 1.65 грн |
100000+ | 1.48 грн |
200000+ | 1.33 грн |
500000+ | 1.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1B Yangjie Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції HS1B за ціною від 1.49 грн до 7.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HS1B | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HS1B | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
HS1B | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
HS1B | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |