HS1D Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 2.04 грн |
| 25000+ | 1.81 грн |
| 50000+ | 1.74 грн |
| 100000+ | 1.49 грн |
| 200000+ | 1.35 грн |
| 500000+ | 1.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1D Yangjie Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HS1D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HS1D | Виробник : Taiwan Semiconductor |
1A,200V,GP,HF,SMD Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| HS1D | Виробник : Diodes Incorporated |
Rectifiers |
товару немає в наявності |
||
|
|
HS1D | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |
|
|
HS1D | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |

