HS1DAL Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.46 грн |
| 17+ | 19.07 грн |
| 100+ | 10.52 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 6.27 грн |
| 2500+ | 6.20 грн |
| 5000+ | 5.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1DAL Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Thin SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції HS1DAL за ціною від 6.13 грн до 32.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HS1DAL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 6988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|