на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 6.02 грн |
| 250+ | 5.76 грн |
| 500+ | 5.75 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1DLW RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції HS1DLW RVG за ціною від 6.03 грн до 6.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HS1DLW RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |