
HS1F SURGE

Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Packaging: Bag
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
31+ | 10.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1F SURGE
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC, Packaging: Bag, Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.
Інші пропозиції HS1F
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
HS1F | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
HS1F | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |