Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > HS1JL RVG
HS1JL RVG

HS1JL RVG Taiwan Semiconductor

39hs1al20series_b14.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
274+2.21 грн
277+2.19 грн
280+2.17 грн
283+2.07 грн
286+1.89 грн
289+1.80 грн
500+1.78 грн
1000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HS1JL RVG Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

Інші пропозиції HS1JL RVG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HS1JL RVG HS1JL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor 39hs1al20series_b14.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor 39hs1al20series_b14.pdf Diode Switching 600V 2-Pin Sub SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor HS1AL_SERIES_B14-1918335.pdf Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.