HS1JL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
304+ | 1.9 грн |
307+ | 1.88 грн |
309+ | 1.87 грн |
313+ | 1.78 грн |
317+ | 1.63 грн |
319+ | 1.55 грн |
500+ | 1.53 грн |
1000+ | 0.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1JL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції HS1JL RVG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 2-Pin Sub SMA T/R |
товар відсутній |
||
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier |
товар відсутній |