HS1JLW RVG

HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor


hs1dlw20series_c2103.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
на замовлення 5912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3297+3.55 грн
3364+ 3.48 грн
3410+ 3.43 грн
3457+ 3.26 грн
3513+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3297
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.

Інші пропозиції HS1JLW RVG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Виробник : Taiwan Semiconductor hs1dlw20series_c2103.pdf Diode 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Виробник : Taiwan Semiconductor hs1dlw20series_c2103.pdf Diode 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
товар відсутній
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Виробник : Taiwan Semiconductor hs1dlw20series_c2103.pdf Diode 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
товар відсутній
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Виробник : Taiwan Semiconductor HS1DLW_SERIES_B1812-1918212.pdf Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товар відсутній