HS1KL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1KL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції HS1KL RVG за ціною від 4.42 грн до 4.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HS1KL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 4566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
HS1KL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
HS1KL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 2-Pin Sub SMA T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
HS1KL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
HS1KL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
HS1KL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns 1A 800V High Ef f Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |