HS1KL R3G Taiwan Semiconductor
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 4.28 грн |
| 137+ | 4.21 грн |
| 140+ | 4.14 грн |
| 142+ | 3.93 грн |
| 144+ | 3.58 грн |
| 250+ | 3.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1KL R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції HS1KL R3G за ціною від 11.83 грн до 41.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Rectifiers 75ns 1A 800V High Ef f Recovery Rectifie |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
HS1KL R3G Код товару: 144480 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |