Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > HS1KL R3G

HS1KL R3G Taiwan Semiconductor

Name: HS1KL R3G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 58207-4
Price: 386.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 75ns 1A 800V High Ef f Recovery Rectifie

на замовлення 1142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	48.33 грн
10+	36.27 грн
100+	23.49 грн
500+	21.43 грн
1000+	16.57 грн
1800+	14.44 грн
3600+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HS1KL R3G Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

Інші пропозиції HS1KL R3G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
HS1KL R3G Код товару: 144480 Додати до обраних Обраний товар		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HS1KL R3G	Виробник : Taiwan Semiconductor	Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HS1KL R3G	Виробник : Taiwan Semiconductor	Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HS1KL R3G	Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HS1KL R3G	Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.