HS8K11TB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.84 грн |
| 10+ | 43.80 грн |
| 100+ | 28.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS8K11TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML, Part Status: Active, Supplier Device Package: HSML3030L10, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HS8K11TB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HS8K11TB | ROHM Semiconductor |
MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HS8K11TB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)