Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HS8K1TB
HS8K1TB

HS8K1TB Rohm Semiconductor

datasheet?p=HS8K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.50 грн
6000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HS8K1TB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HSML3030L10, Part Status: Active.

Інші пропозиції HS8K1TB за ціною від 21.50 грн до 99.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HS8K1TB HS8K1TB Rohm Semiconductor hs8k1tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB HS8K1TB Rohm Semiconductor hs8k1tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB HS8K1TB Rohm Semiconductor hs8k1tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB HS8K1TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HS8K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.79 грн
10+55.63 грн
100+36.69 грн
500+26.81 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB HS8K1TB Rohm Semiconductor hs8k1tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB HS8K1TB ROHM Semiconductor datasheet?p=HS8K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+99.83 грн
10+45.92 грн
100+35.47 грн
500+27.64 грн
1000+26.77 грн
3000+21.79 грн
6000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB HS8K1TB Rohm Semiconductor hs8k1tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB hs8k1tb-e.pdf
HS8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB hs8k1tb-e.pdf
HS8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB hs8k1tb-e.pdf
HS8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB datasheet?p=HS8K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HS8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.79 грн
10+55.63 грн
100+36.69 грн
500+26.81 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB hs8k1tb-e.pdf
HS8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB datasheet?p=HS8K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HS8K1TB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.83 грн
10+45.92 грн
100+35.47 грн
500+27.64 грн
1000+26.77 грн
3000+21.79 грн
6000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K1TB hs8k1tb-e.pdf
HS8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/11A 8-Pin HSML EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.