HS8MA2TCR1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.11 грн |
| 500+ | 31.38 грн |
| 1000+ | 26.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS8MA2TCR1 ROHM
Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HS8MA2TCR1 за ціною від 26.43 грн до 107.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HS8MA2TCR1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3333 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HS8MA2TCR1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 30V Dual Common Drain Pch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HS8MA2TCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN3333-9DC |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HS8MA2TCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN3333-9DC |
товару немає в наявності |