Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HT8KB6TB1
HT8KB6TB1

HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HT8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8KB6TB1 за ціною від 37.93 грн до 156.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor ht8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HT8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+89.68 грн
50+67.67 грн
100+56.82 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor ht8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HT8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSMT8 2NCH 40V 8A
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.43 грн
10+74.71 грн
100+57.78 грн
500+45.86 грн
1000+43.86 грн
3000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 ROHM 4410269.pdf Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor ht8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 Rohm Semiconductor ht8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 HT8KB6TB1 ROHM 4410269.pdf Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 ht8kb6tb1-e.pdf
HT8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 datasheet?p=HT8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.11 грн
10+89.68 грн
50+67.67 грн
100+56.82 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 ht8kb6tb1-e.pdf
HT8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+151.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 datasheet?p=HT8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KB6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 2NCH 40V 8A
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.43 грн
10+74.71 грн
100+57.78 грн
500+45.86 грн
1000+43.86 грн
3000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 4410269.pdf
HT8KB6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 ht8kb6tb1-e.pdf
HT8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 ht8kb6tb1-e.pdf
HT8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KB6TB1 4410269.pdf
HT8KB6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.