HT8KB6TB1 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
isCanonical: N
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
isCanonical: N
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.89 грн |
| 500+ | 48.57 грн |
| 1000+ | 41.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HT8KB6TB1 ROHM
Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції HT8KB6TB1 за ціною від 37.79 грн до 152.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HT8KB6TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 101-110 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HT8KB6TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HT8KB6TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor | HT8KB6TB1 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|