Продукція > ROHM > HT8KC5TB1
HT8KC5TB1

HT8KC5TB1 ROHM

datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+48.89 грн
500+32.83 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KC5TB1 ROHM

Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції HT8KC5TB1 за ціною від 25.89 грн до 132.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KC5TB1 HT8KC5TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+62.00 грн
100+38.87 грн
500+34.93 грн
1000+32.03 грн
3000+29.62 грн
6000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC5TB1 HT8KC5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.83 грн
25+57.44 грн
100+42.84 грн
250+37.44 грн
500+34.14 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC5TB1 HT8KC5TB1 ROHM datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.09 грн
11+73.45 грн
100+48.89 грн
500+32.83 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC5TB1 datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KC5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.18 грн
10+62.00 грн
100+38.87 грн
500+34.93 грн
1000+32.03 грн
3000+29.62 грн
6000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC5TB1 datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KC5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+67.83 грн
25+57.44 грн
100+42.84 грн
250+37.44 грн
500+34.14 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC5TB1 datasheet?p=HT8KC5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+132.09 грн
11+73.45 грн
100+48.89 грн
500+32.83 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.