Продукція > ROHM > HT8KC6TB1
HT8KC6TB1

HT8KC6TB1 ROHM

ht8kc6tb1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KC6TB1 ROHM

Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8KC6TB1 за ціною від 38.73 грн до 150.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KC6TB1 HT8KC6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HT8KC6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+89.71 грн
100+54.74 грн
500+50.26 грн
1000+46.46 грн
3000+42.66 грн
6000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC6TB1 HT8KC6TB1 ROHM ht8kc6tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.89 грн
10+85.37 грн
100+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC6TB1 HT8KC6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HT8KC6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+93.03 грн
25+79.30 грн
100+59.89 грн
250+52.80 грн
500+48.46 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC6TB1 datasheet?p=HT8KC6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KC6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.47 грн
10+89.71 грн
100+54.74 грн
500+50.26 грн
1000+46.46 грн
3000+42.66 грн
6000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC6TB1 ht8kc6tb1-e.pdf
HT8KC6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+132.89 грн
10+85.37 грн
100+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KC6TB1 datasheet?p=HT8KC6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KC6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.67 грн
10+93.03 грн
25+79.30 грн
100+59.89 грн
250+52.80 грн
500+48.46 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.