Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HT8KE5HTB1
HT8KE5HTB1

HT8KE5HTB1 Rohm Semiconductor

ht8ke5htb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.21 грн
10+90.46 грн
100+65.06 грн
500+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KE5HTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції HT8KE5HTB1 за ціною від 51.19 грн до 126.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KE5HTB1 HT8KE5HTB1 Rohm Semiconductor ht8ke5htb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.21 грн
157+90.46 грн
218+65.06 грн
500+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 HT8KE5HTB1 ROHM Semiconductor MOSFETs HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 HT8KE5HTB1 ROHM 4461476.pdf Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 HT8KE5HTB1 ROHM 4461476.pdf Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 HT8KE5HTB1 Rohm Semiconductor ht8ke5htb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 ht8ke5htb1-e.pdf
HT8KE5HTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+126.21 грн
157+90.46 грн
218+65.06 грн
500+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1
HT8KE5HTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 4461476.pdf
HT8KE5HTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 4461476.pdf
HT8KE5HTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5HTB1 ht8ke5htb1-e.pdf
HT8KE5HTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.