Продукція > ROHM > HT8KE5TB1
HT8KE5TB1

HT8KE5TB1 ROHM

ht8ke5tb1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+41.48 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KE5TB1 ROHM

Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8KE5TB1 за ціною від 25.20 грн до 116.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KE5TB1 HT8KE5TB1 ROHM Semiconductor ht8ke5tb1-e.pdf MOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+66.69 грн
100+41.97 грн
500+33.76 грн
1000+30.72 грн
3000+27.61 грн
6000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5TB1 HT8KE5TB1 Rohm Semiconductor ht8ke5tb1-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.19 грн
100+44.19 грн
500+32.59 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5TB1 HT8KE5TB1 ROHM ht8ke5tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
13+62.42 грн
100+41.48 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5TB1 ht8ke5tb1-e.pdf
HT8KE5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.79 грн
10+66.69 грн
100+41.97 грн
500+33.76 грн
1000+30.72 грн
3000+27.61 грн
6000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5TB1 ht8ke5tb1-e.pdf
HT8KE5TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.73 грн
10+66.19 грн
100+44.19 грн
500+32.59 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE5TB1 ht8ke5tb1-e.pdf
HT8KE5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.78 грн
13+62.42 грн
100+41.48 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.