HT8KE6HTB1 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: HSMT
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Технічний опис HT8KE6HTB1 ROHM
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Інші пропозиції HT8KE6HTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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HT8KE6HTB1 | ROHM |
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 14W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| HT8KE6HTB1 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
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на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)