Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HT8KE6HTB1
HT8KE6HTB1

HT8KE6HTB1 Rohm Semiconductor

ht8ke6htb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
315+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 315 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KE6HTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8KE6HTB1 за ціною від 44.92 грн до 224.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KE6HTB1 HT8KE6HTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HT8KE6H&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 100V 12.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.84 грн
10+102.32 грн
50+77.44 грн
100+65.16 грн
500+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 HT8KE6HTB1 Rohm Semiconductor ht8ke6htb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 HT8KE6HTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HT8KE6H&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSMT8 100V 12.5A N CHAN
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+177.31 грн
10+85.57 грн
100+66.66 грн
500+52.89 грн
1000+51.24 грн
3000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 HT8KE6HTB1 Rohm Semiconductor ht8ke6htb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+224.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 HT8KE6HTB1 ROHM 4461477.pdf Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 HT8KE6HTB1 ROHM 4461477.pdf Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 datasheet?p=HT8KE6H&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KE6HTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 12.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.84 грн
10+102.32 грн
50+77.44 грн
100+65.16 грн
500+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 ht8ke6htb1-e.pdf
HT8KE6HTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+168.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 datasheet?p=HT8KE6H&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KE6HTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 100V 12.5A N CHAN
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.31 грн
10+85.57 грн
100+66.66 грн
500+52.89 грн
1000+51.24 грн
3000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 ht8ke6htb1-e.pdf
HT8KE6HTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+224.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 4461477.pdf
HT8KE6HTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6HTB1 4461477.pdf
HT8KE6HTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.