HT8KE6HTB1 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 70.56 грн |
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Технічний опис HT8KE6HTB1 ROHM
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції HT8KE6HTB1 за ціною від 70.56 грн до 162.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
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HT8KE6HTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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