Продукція > ROHM > HT8KE6TB1
HT8KE6TB1

HT8KE6TB1 ROHM

ht8ke6tb1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KE6TB1 ROHM

Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8KE6TB1 за ціною від 39.69 грн до 159.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 ROHM Semiconductor ht8ke6tb1-e.pdf MOSFETs 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+102.41 грн
100+61.03 грн
500+48.67 грн
1000+44.67 грн
3000+40.66 грн
6000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 Rohm Semiconductor ht8ke6tb1-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.44 грн
100+62.74 грн
500+46.92 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 ROHM ht8ke6tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
10+102.29 грн
100+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 ht8ke6tb1-e.pdf
HT8KE6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.17 грн
10+102.41 грн
100+61.03 грн
500+48.67 грн
1000+44.67 грн
3000+40.66 грн
6000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 ht8ke6tb1-e.pdf
HT8KE6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.89 грн
10+92.44 грн
100+62.74 грн
500+46.92 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 ht8ke6tb1-e.pdf
HT8KE6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+159.47 грн
10+102.29 грн
100+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.