Продукція > ROHM > HT8KE6TB1
HT8KE6TB1

HT8KE6TB1 ROHM

ht8ke6tb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KE6TB1 ROHM

Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції HT8KE6TB1 за ціною від 42.20 грн до 170.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 Виробник : Rohm Semiconductor ht8ke6tb1-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.22 грн
10+94.49 грн
100+64.13 грн
500+47.97 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 Виробник : ROHM Semiconductor ht8ke6tb1-e.pdf MOSFETs 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.26 грн
10+108.88 грн
100+64.88 грн
500+51.74 грн
1000+47.48 грн
3000+43.23 грн
6000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 Виробник : ROHM ht8ke6tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.42 грн
10+109.50 грн
100+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 Виробник : Rohm Semiconductor ht8ke6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KE6TB1 HT8KE6TB1 Виробник : Rohm Semiconductor ht8ke6tb1-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.