Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HT8KF6HTB1
HT8KF6HTB1

HT8KF6HTB1 Rohm Semiconductor

ht8kf6htb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.43 грн
10+102.43 грн
50+77.64 грн
100+65.37 грн
500+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8KF6HTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.214ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8KF6HTB1 за ціною від 46.03 грн до 179.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 ROHM Semiconductor ht8kf6htb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 150V DUAL 7.A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+179.57 грн
10+85.97 грн
100+67.43 грн
500+53.72 грн
1000+52.04 грн
3000+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 ROHM 4536308.pdf Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KF6HTB1 ht8kf6htb1-e.pdf
HT8KF6HTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 150V DUAL 7.A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.57 грн
10+85.97 грн
100+67.43 грн
500+53.72 грн
1000+52.04 грн
3000+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8KF6HTB1 4536308.pdf
HT8KF6HTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.