Продукція > ROHM > HT8MB5TB1
HT8MB5TB1

HT8MB5TB1 ROHM

ht8mb5tb1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+60.65 грн
500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HT8MB5TB1 ROHM

Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HT8MB5TB1 за ціною від 33.76 грн до 147.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HT8MB5TB1 HT8MB5TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 NPCH 40V 12A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.98 грн
500+41.21 грн
1000+37.69 грн
3000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8MB5TB1 HT8MB5TB1 ROHM ht8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.39 грн
10+90.20 грн
100+60.65 грн
500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8MB5TB1
HT8MB5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 NPCH 40V 12A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.98 грн
500+41.21 грн
1000+37.69 грн
3000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HT8MB5TB1 ht8mb5tb1-e.pdf
HT8MB5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.39 грн
10+90.20 грн
100+60.65 грн
500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.