HT8MC5TB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.32 грн |
| 10+ | 87.91 грн |
| 50+ | 66.24 грн |
| 100+ | 55.58 грн |
| 500+ | 44.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HT8MC5TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції HT8MC5TB1 за ціною від 36.26 грн до 153.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HT8MC5TB1 | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs HSMT8 NPCH 60V 10A |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HT8MC5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm Verlustleistung, p-Kanal: 13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
HT8MC5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
HT8MC5TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin HSMT EP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| HT8MC5TB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 NPCH 60V 10A
MOSFETs HSMT8 NPCH 60V 10A
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.28 грн |
| 10+ | 72.69 грн |
| 100+ | 56.53 грн |
| 500+ | 44.82 грн |
| 1000+ | 43.69 грн |
| 3000+ | 36.26 грн |
| HT8MC5TB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HT8MC5TB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HT8MC5TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin HSMT EP
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)