HT8MC5TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).