HT8MD5HTB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.48 грн |
| 10+ | 89.59 грн |
| 50+ | 67.54 грн |
| 100+ | 56.70 грн |
| 500+ | 44.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HT8MD5HTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції HT8MD5HTB1 за ціною від 37.16 грн до 156.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HT8MD5HTB1 | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs HSMT8 NPCH 80V 3.5A |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HT8MD5HTB1 | ROHM |
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
HT8MD5HTB1 | ROHM |
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
HT8MD5HTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin HSMT EP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| HT8MD5HTB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 NPCH 80V 3.5A
MOSFETs HSMT8 NPCH 80V 3.5A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.78 грн |
| 10+ | 74.08 грн |
| 100+ | 57.66 грн |
| 500+ | 45.72 грн |
| 1000+ | 43.62 грн |
| 3000+ | 37.16 грн |
| HT8MD5HTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HT8MD5HTB1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HT8MD5HTB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin HSMT EP
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin HSMT EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)