Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75229P3
HUF75229P3

HUF75229P3 Fairchild Semiconductor

FAIRS44533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
312+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75229P3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75229P3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75229P3 HUF75229P3 Виробник : onsemi HUF75229P3.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3 HUF75229P3 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS44533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75229P3.pdf MOSFETs 44a 50V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.