HUF75307D3 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 592+ | 38.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75307D3 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75307D3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HUF75307D3 | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HUF75307D3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
товару немає в наявності |
|
 |
HUF75307D3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm |
товару немає в наявності |