HUF75307D3ST Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 110471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 740+ | 27.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75307D3ST Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75307D3ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HUF75307D3ST | Виробник : HARRIS |
99+ |
на замовлення 3043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HUF75307D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
HUF75307D3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm |
товар відсутній |