HUF75321D3ST ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75321D3ST ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75321D3ST за ціною від 26.35 грн до 103.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF75321D3ST | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75321D3ST | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75321D3ST | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75321D3ST | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75321D3ST | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75321D3ST | onsemi |
MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HUF75321D3ST |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.88 грн |
| HUF75321D3ST |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 427+ | 33.21 грн |
| HUF75321D3ST |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.54 грн |
| 21+ | 37.44 грн |
| 100+ | 33.07 грн |
| 500+ | 28.73 грн |
| 2500+ | 26.35 грн |
| HUF75321D3ST |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 44.22 грн |
| 20+ | 39.57 грн |
| 25+ | 39.33 грн |
| 100+ | 33.40 грн |
| 250+ | 30.61 грн |
| 500+ | 28.93 грн |
| 1000+ | 28.46 грн |
| HUF75321D3ST |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.67 грн |
| 10+ | 62.85 грн |
| 100+ | 41.77 грн |
| 500+ | 30.71 грн |
| 1000+ | 27.97 грн |
| HUF75321D3ST |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)