Продукція > ONSEMI > HUF75321D3ST
HUF75321D3ST

HUF75321D3ST onsemi

HUF75321D3ST-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75321D3ST onsemi

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції HUF75321D3ST за ціною від 21.44 грн до 99.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF75321D3ST-D.pdf MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.53 грн
10+37.42 грн
100+26.46 грн
500+25.28 грн
1000+24.23 грн
2500+22.97 грн
5000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : onsemi HUF75321D3ST-D.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.26 грн
500+29.60 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.