 
HUF75321D3ST ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 27.82 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75321D3ST ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції HUF75321D3ST за ціною від 23.44 грн до 42.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | HUF75321D3ST | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 30000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2250 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 30000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V | на замовлення 2942 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 112500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2250 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET | на замовлення 495 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | HUF75321D3ST | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності |