Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75321D3ST
HUF75321D3ST

HUF75321D3ST ON Semiconductor

huf75321d3st-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75321D3ST ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75321D3ST за ціною від 24.45 грн до 109.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : onsemi HUF75321D3ST-D.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor huf75321d3st-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor 3668728839089232huf75321d3st.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor huf75321d3st-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor huf75321d3st-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.07 грн
21+36.11 грн
100+31.89 грн
500+27.71 грн
2500+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor huf75321d3st-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+42.64 грн
20+38.16 грн
25+37.93 грн
100+32.21 грн
250+29.52 грн
500+27.90 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF75321D3ST-D.pdf MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.95 грн
10+42.69 грн
100+30.19 грн
500+28.83 грн
1000+27.64 грн
2500+26.21 грн
5000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : onsemi HUF75321D3ST-D.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.43 грн
10+66.46 грн
100+44.16 грн
500+32.46 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor huf75321d3st-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Виробник : ON Semiconductor huf75321d3st-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST Виробник : ONSEMI HUF75321D3ST-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; 93W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.