Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75321P3
HUF75321P3

HUF75321P3 Fairchild Semiconductor

FAIRS45727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
468+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75321P3 Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75321P3 за ціною від 30.87 грн до 128.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ON Semiconductor huf75321p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+94.54 грн
236+51.96 грн
500+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : onsemi huf75321p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.01 грн
50+85.91 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ON Semiconductor huf75321p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.42 грн
10+101.29 грн
100+55.67 грн
500+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : onsemi / Fairchild HUF75321P3_D-2314407.pdf MOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.53 грн
10+69.16 грн
100+49.58 грн
500+42.03 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 Виробник : Fairchild huf75321p3-d.pdf FAIRS45727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 Виробник : ONSEMI FAIRS45727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3
Код товару: 53580
Додати до обраних Обраний товар

huf75321p3-d.pdf FAIRS45727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ON Semiconductor huf75321p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ON Semiconductor huf75321p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ON Semiconductor huf75321p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ON Semiconductor 3647920764628076huf75321p3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ONSEMI huf75321p3-d.pdf FAIRS45727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 31A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3 HUF75321P3 Виробник : ONSEMI huf75321p3-d.pdf FAIRS45727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 31A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.