HUF75321P3 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 468+ | 48.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75321P3 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75321P3 за ціною від 31.24 грн до 128.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 31A Power dissipation: 93W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: UltraFET® |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 31A Power dissipation: 93W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: UltraFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75321P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| HUF75321P3 | Виробник : Fairchild |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
HUF75321P3 Код товару: 53580
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |



