Продукція > HARRIS CORPORATION > HUF75321S3S
HUF75321S3S

HUF75321S3S Harris Corporation

HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75321S3S Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75321S3S за ціною від 32.49 грн до 37.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75321S3S HUF75321S3S Виробник : Fairchild Semiconductor HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S Виробник : ONSEMI HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
844+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 844
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S Виробник : FAIRCHILD HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75321P3_S3S.pdf 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S Виробник : FAIRCHILD HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75321P3_S3S.pdf SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S Виробник : FAIRCHILD HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75321P3_S3S.pdf TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S HUF75321S3S Виробник : ON Semiconductor huf75321p3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S HUF75321S3S Виробник : onsemi HUF75321P3_S3S.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3S HUF75321S3S Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_huf75321p3-1191485.pdf MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.