HUF75329D3S Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75329D3S Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75329D3S за ціною від 109.58 грн до 131.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75329D3S | FAIRCHILD |
HUF75329D3S |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| HUF75329D3S | FAIRCHILD |
HUF75329D3S |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| HUF75329D3S | FAIRCHILD |
07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUF75329D3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 378 шт В кошику од. на суму грн. |
| HUF75329D3S |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
HUF75329D3S
HUF75329D3S
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 131.71 грн |
| 500+ | 118.78 грн |
| 1000+ | 109.58 грн |
| HUF75329D3S |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
HUF75329D3S
HUF75329D3S
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 131.71 грн |
| 500+ | 118.78 грн |
| 1000+ | 109.58 грн |
| HUF75329D3S |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-252
07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| HUF75329D3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


