Продукція > HARRIS CORPORATION > HUF75329P3
HUF75329P3

HUF75329P3 Harris Corporation

HRISS01064-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
384+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75329P3 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HUF75329P3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75329P3 HUF75329P3 Виробник : onsemi / Fairchild HRISS01064-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.