
HUF75332P3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.17 грн |
10+ | 83.10 грн |
100+ | 57.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75332P3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 145W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75332P3 за ціною від 34.21 грн до 171.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75332P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 145W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 85nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HUF75332P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HUF75332P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 145W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 85nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
HUF75332P3 | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HUF75332P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HUF75332P3 Код товару: 144977
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
HUF75332P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
HUF75332P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |