HUF75332P3
Код товару: 144977
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HUF75332P3 за ціною від 39.36 грн до 150.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF75332P3 | Fairchild |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75332P3 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220AB Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 85nC On-state resistance: 16mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A Power dissipation: 145W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75332P3 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75332P3 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| HUF75332P3 |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.36 грн |
| HUF75332P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 145W
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 145W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 131.27 грн |
| HUF75332P3 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.71 грн |
| 10+ | 82.81 грн |
| 100+ | 56.84 грн |
| HUF75332P3 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
MOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.97 грн |
| 10+ | 86.54 грн |
| 100+ | 64.91 грн |
| 500+ | 63.93 грн |
| 800+ | 63.86 грн |
| 2400+ | 61.18 грн |
| 5600+ | 61.04 грн |



