Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > HUF75333P3

HUF75333P3

HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 189444
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HUF75333P3 за ціною від 80.33 грн до 80.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75333P3 HUF75333P3 Fairchild Semiconductor HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 139017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3 HUF75333P3 Harris Corporation HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3 FSC HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3 HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75333P3
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 139017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3 HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75333P3
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3 HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
06+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.