Інші пропозиції HUF75333P3 за ціною від 81.91 грн до 81.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75333P3 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3Packaging: Tube Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 139017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
HUF75333P3 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| HUF75333P3 | Виробник : FSC |
06+ |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
HUF75333P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-220 N-CH 55V 66A |
товару немає в наявності |