HUF75343S3 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 228+ | 92.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75343S3 Harris Corporation
Description: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK (TO-262), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75343S3 за ціною від 92.13 грн до 128.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF75343S3 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| HUF75343S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| HUF75343S3 | Виробник : FAIRCHILD |
HUF75343S3 |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| HUF75343S3 | Виробник : HARRIS |
HUF75343S3 |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
HUF75343S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
HUF75343S3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET |
товару немає в наявності |