HUF75344G3 Fairchild
Код товару: 59800
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HUF75344G3 за ціною від 146.14 грн до 329.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF75344G3 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344gкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 285W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 285W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HUF75344G3 | onsemi |
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HUF75344G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 285W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 181.46 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 198.17 грн |
| 73+ | 196.24 грн |
| 120+ | 184.54 грн |
| 510+ | 167.82 грн |
| 1020+ | 153.57 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 199.17 грн |
| 30+ | 197.23 грн |
| 120+ | 185.48 грн |
| 510+ | 168.66 грн |
| 1020+ | 154.34 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 171+ | 207.44 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.46 грн |
| 5+ | 230.50 грн |
| 10+ | 198.16 грн |
| 20+ | 182.41 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 299.51 грн |
| 120+ | 244.04 грн |
| 270+ | 241.83 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 329.34 грн |
| 30+ | 177.08 грн |
| 120+ | 146.14 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 285W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 285W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| Флюс-паста UV35 5 мл Mechanic (RMA-UV35) Код товару: 150916
19
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Mechanic
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Флюс має високу в'язкість, не містить галогенів. Ідеальний для пайки SMD, BGA. Не вимагає відмивання, не окиснює, не проводить струм
Консистенція: Паста-гель
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Флюс має високу в'язкість, не містить галогенів. Ідеальний для пайки SMD, BGA. Не вимагає відмивання, не окиснює, не проводить струм
Консистенція: Паста-гель
у наявності: 309 шт
- 257 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 105 шт
- 100 шт - очікується 20.11.2026
- 5 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 62.00 грн |
| 10+ | 56.50 грн |
| Батарейка AAA лужна 1,5V 1шт. VARTA MAX POWER, MT-003-4 Код товару: 130331
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: VARTA
Батарейки
Матеріал: лужна
Розмір: AAA / LR03 / "мікропальчик"
Напруга, В: 1,5 В
Форма: Циліндрична
Батарейки
Матеріал: лужна
Розмір: AAA / LR03 / "мікропальчик"
Напруга, В: 1,5 В
Форма: Циліндрична
у наявності: 37 шт
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 150 шт
- 140 шт - очікується 27.07.2026
- 10 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 42.00 грн |
| 10+ | 37.50 грн |
| Флюс № 226, 10 мл (Mechanic) Код товару: 127887
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Mechanic
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Рідкий флюс
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 мл
Консистенція: Паста-гель
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Рідкий флюс
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 мл
Консистенція: Паста-гель
у наявності: 182 шт
- 151 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 125.00 грн |
| 10+ | 116.00 грн |
| STP100N6F7 Код товару: 113452
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
- 79 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.00 грн |
| Піроелектричний інфрачервоний датчик руху HC-SR501 (PIR) Код товару: 57818
13
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: HC-SR501
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Цифровий піроелектричний інфрачервоний датчик руху з регулюванням чутливості та дальності виявлення. Час затримки: 0,3 - 300 секунд (регулюється). Кут спрацьовування: 110° на дистанції до 7м. Метод спрацьовування: якщо перемичку встановлено в положення "H", на виході буде високий рівень весь час, поки датчик вловлює рух; якщо "L", стан виходу перемикатиметься з високого на низький. Живлення: 4,5...12VDC. Габарити: 32х24мм.
Категорія: Модуль-датчик
Призначення: Датчик руху
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Цифровий піроелектричний інфрачервоний датчик руху з регулюванням чутливості та дальності виявлення. Час затримки: 0,3 - 300 секунд (регулюється). Кут спрацьовування: 110° на дистанції до 7м. Метод спрацьовування: якщо перемичку встановлено в положення "H", на виході буде високий рівень весь час, поки датчик вловлює рух; якщо "L", стан виходу перемикатиметься з високого на низький. Живлення: 4,5...12VDC. Габарити: 32х24мм.
Категорія: Модуль-датчик
Призначення: Датчик руху
у наявності: 143 шт
- 99 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 49.00 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| 100+ | 40.12 грн |















