HUF75344G3 Fairchild
Код товару: 59800
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HUF75344G3 за ціною від 122.29 грн до 372.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75344G3 | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HUF75344G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
HUF75344G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
HUF75344G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HUF75344G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 285W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HUF75344G3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 285W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HUF75344G3 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| HUF75344G3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - MOSFET, N-KANAL, 55V, 75A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 285W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
HUF75344G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| STP100N6F7 Код товару: 113452
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
79 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.00 грн |