HUF75344G3 Fairchild
Код товару: 59800
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 75 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HUF75344G3 за ціною від 142.85 грн до 370.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF75344G3 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344gкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 285W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 285W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 285W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75344G3 | onsemi |
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 181.46 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 202.20 грн |
| 120+ | 191.03 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 203.72 грн |
| 30+ | 201.52 грн |
| 120+ | 190.39 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 250.17 грн |
| 120+ | 206.48 грн |
| 270+ | 203.69 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.46 грн |
| 5+ | 230.50 грн |
| 10+ | 198.16 грн |
| 20+ | 182.41 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 321.59 грн |
| 30+ | 173.07 грн |
| 120+ | 142.85 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 370.46 грн |
| 10+ | 169.56 грн |
| 100+ | 162.33 грн |
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| STP100N6F7 Код товару: 113452
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 100 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 100 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
- 79 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.00 грн |








