
HUF75345P3 ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75345P3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HUF75345P3 за ціною від 49.50 грн до 239.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75345P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75345P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75345P3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
HUF75345P3 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
HUF75345P3 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
HUF75345P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
HUF75345P3 Код товару: 122685
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|