Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75545S3
HUF75545S3

HUF75545S3 Fairchild Semiconductor

FAIRS19678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75545S3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75545S3 за ціною від 109.81 грн до 109.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75545S3 Виробник : FAIRCHILD huf75545s3s-d.pdf FAIRS19678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75545S3
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3 Виробник : FAIRCHILD huf75545s3s-d.pdf FAIRS19678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75545S3
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3 HUF75545S3 Виробник : onsemi huf75545s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.