Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75545S3ST
HUF75545S3ST

HUF75545S3ST ON Semiconductor

huf75545s3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75545S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції HUF75545S3ST за ціною від 109.39 грн до 290.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : onsemi HUF75545S3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.93 грн
1600+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+199.28 грн
74+165.93 грн
100+146.41 грн
200+134.91 грн
500+124.19 грн
800+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : onsemi HUF75545S3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 72474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.17 грн
10+182.08 грн
100+133.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF75545S3S-D.PDF MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.83 грн
10+213.08 грн
100+135.43 грн
250+133.20 грн
800+115.34 грн
2400+110.13 грн
4800+109.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST Виробник : ONSEMI HUF75545S3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+149.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3S-D.PDF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75545s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.