HUF75545S3ST ON Semiconductor
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 107.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75545S3ST ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HUF75545S3ST за ціною від 77.89 грн до 261.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75545S3ST | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75545S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
на замовлення 72474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HUF75545S3ST |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
HUF75545S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |