Технічний опис HUF75617D3S FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75617D3S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
HUF75617D3S | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
HUF75617D3S | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
HUF75617D3S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
HUF75617D3S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |