Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75631S3ST
HUF75631S3ST

HUF75631S3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS45735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+161.73 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75631S3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75631S3ST за ціною від 134.47 грн до 299.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75631S3ST HUF75631S3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF75631S3S_D-2314467.pdf MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.92 грн
10+226.75 грн
25+192.30 грн
100+170.00 грн
250+165.82 грн
500+157.46 грн
800+134.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75631S3ST HUF75631S3ST Виробник : onsemi huf75631s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.42 грн
10+242.36 грн
100+196.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75631S3ST HUF75631S3ST Виробник : onsemi huf75631s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.