HUF75631S3ST Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 138+ | 163.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75631S3ST Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75631S3ST за ціною від 141.64 грн до 303.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75631S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75631S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75631S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| HUF75631S3ST | Виробник : ONSEMI |
HUF75631S3ST SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
HUF75631S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |