Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75639G3
HUF75639G3

HUF75639G3 ON Semiconductor

huf75639s3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
450+148.40 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639G3 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції HUF75639G3 за ціною від 94.26 грн до 296.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75639G3 HUF75639G3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+176.44 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+177.48 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+184.63 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 30895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.90 грн
30+158.27 грн
120+130.19 грн
510+102.85 грн
1020+95.80 грн
2010+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 onsemi huf75639g3-d.pdf MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 onsemi / Fairchild ABF10C75C5264C7977DCD868566D6A283962FEA56EFDC5EF04105238B08665E7.pdf MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 ONSEMI ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 ONN huf75639g3-d.pdf
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
420+176.44 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
420+177.48 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+184.63 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 30895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.90 грн
30+158.27 грн
120+130.19 грн
510+102.85 грн
1020+95.80 грн
2010+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: onsemi
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 ABF10C75C5264C7977DCD868566D6A283962FEA56EFDC5EF04105238B08665E7.pdf
HUF75639G3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75639G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.