HUF75639G3 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.31 грн |
| 30+ | 170.37 грн |
| 120+ | 146.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639G3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75639G3 за ціною від 101.22 грн до 261.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75639G3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| HUF75639G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| HUF75639G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |