HUF75639G3 ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 131.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639G3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції HUF75639G3 за ціною від 102.27 грн до 341.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
HUF75639G3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| HUF75639G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |