| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.20 грн |
| 10+ | 146.71 грн |
| 120+ | 110.66 грн |
| 510+ | 102.90 грн |
| 1020+ | 98.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639G3 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75639G3 за ціною від 96.67 грн до 315.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75639G3 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 30895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639G3 | onsemi |
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| HUF75639G3 | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HUF75639G3 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 30895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.48 грн |
| 30+ | 162.31 грн |
| 120+ | 133.51 грн |
| 510+ | 105.48 грн |
| 1020+ | 98.25 грн |
| 2010+ | 96.67 грн |
| HUF75639G3 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 315.76 грн |
| 10+ | 171.84 грн |
| 120+ | 111.36 грн |
| 510+ | 105.02 грн |
| 1020+ | 98.68 грн |
| HUF75639G3 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)