HUF75639P3-F102 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.88 грн |
| 10+ | 123.82 грн |
| 100+ | 98.53 грн |
| 800+ | 78.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639P3-F102 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75639P3-F102
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75639P3-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товар відсутній |
|
 |
HUF75639P3-F102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 56 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|
 |
HUF75639P3-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товар відсутній |
|
| HUF75639P3_F102 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
||
 |
HUF75639P3-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET |
товар відсутній |