Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > HUF75639P3 Fairchild
HUF75639P3

HUF75639P3 Fairchild

huf75639p3-1010619.pdf
Код товару: 122687
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 56 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HUF75639P3 за ціною від 95.93 грн до 326.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.49 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 HUF75639P3 ONSEMI HUF75639P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.15 грн
10+153.39 грн
50+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 HUF75639P3 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.07 грн
50+106.19 грн
100+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.24 грн
50+163.48 грн
100+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 HUF75639P3 onsemi huf75639g3-d.pdf MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+170.49 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 HUF75639P3.pdf
HUF75639P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.15 грн
10+153.39 грн
50+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.07 грн
50+106.19 грн
100+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+326.24 грн
50+163.48 грн
100+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: onsemi
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.