Продукція > HARRIS CORPORATION > HUF75639S3
HUF75639S3

HUF75639S3 Harris Corporation

HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 207
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75639S3 за ціною від 81.24 грн до 195.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF75639S3 HUF75639S3 Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.37 грн
10+ 145.33 грн
100+ 117.56 грн
800+ 98.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3 HUF75639S3 Виробник : onsemi / Fairchild HUF75639S3S_D-2314668.pdf MOSFET TO-262
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.01 грн
10+ 161.59 грн
50+ 137.85 грн
100+ 113.21 грн
250+ 111.21 грн
500+ 101.22 грн
800+ 81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3 Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3 HUF75639S3 Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3 HUF75639S3 Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній