
HUF75639S3 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
207+ | 107.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639S3 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75639S3 за ціною від 87.12 грн до 269.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75639S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
HUF75639S3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
HUF75639S3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
HUF75639S3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
HUF75639S3 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
HUF75639S3 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
HUF75639S3 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
HUF75639S3 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
HUF75639S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
HUF75639S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
HUF75639S3 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |