Продукція > HARRIS CORPORATION > HUF75639S3
HUF75639S3

HUF75639S3 Harris Corporation

HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75639S3 за ціною від 79.15 грн до 245.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.65 грн
10+154.99 грн
100+108.57 грн
800+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3 onsemi / Fairchild HUF75639G3_D-2037014.pdf MOSFETs TO-262
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HARRIS huf75639g3-d.pdf HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.65 грн
10+154.99 грн
100+108.57 грн
800+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639G3_D-2037014.pdf
HUF75639S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-262
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 huf75639g3-d.pdf HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
HUF75639S3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3 HUF75639S3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.