Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75639S3S
HUF75639S3S

HUF75639S3S Fairchild Semiconductor

FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 20586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75639S3S за ціною від 119.67 грн до 136.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75639S3S Виробник : ONSEMI FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 33191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
243+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3S
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+136.24 грн
500+131.16 грн
1000+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3S
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+136.24 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3S
на замовлення 17755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+136.24 грн
500+131.16 грн
1000+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S HUF75639S3S Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S HUF75639S3S Виробник : onsemi FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.