HUF75645S3ST onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 137.25 грн |
| 1600+ | 113.17 грн |
| 2400+ | 106.56 грн |
| 5600+ | 95.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75645S3ST onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75645S3ST за ціною від 103.15 грн до 227.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75645S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET |
на замовлення 12652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HUF75645S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|