Продукція > ONSEMI > HUF75645S3ST
HUF75645S3ST

HUF75645S3ST onsemi

FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+139.79 грн
1600+115.27 грн
2400+108.53 грн
5600+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75645S3ST onsemi

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції HUF75645S3ST за ціною від 108.28 грн до 355.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75645S3ST HUF75645S3ST onsemi FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.60 грн
10+187.19 грн
100+151.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST onsemi FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+355.13 грн
10+229.02 грн
100+148.41 грн
500+124.18 грн
800+115.10 грн
2400+108.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST ONSEMI 2729318.pdf Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST ONSEMI 2729318.pdf Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST ON Semiconductor FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST ON Semiconductor FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.68 грн
10+248.35 грн
25+190.27 грн
100+167.74 грн
250+134.08 грн
500+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75645S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.60 грн
10+187.19 грн
100+151.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75645S3ST
Виробник: onsemi
MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.13 грн
10+229.02 грн
100+148.41 грн
500+124.18 грн
800+115.10 грн
2400+108.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST 2729318.pdf
HUF75645S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST 2729318.pdf
HUF75645S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+155.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+292.68 грн
10+248.35 грн
25+190.27 грн
100+167.74 грн
250+134.08 грн
500+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.