Продукція > ONSEMI > HUF75645S3ST
HUF75645S3ST

HUF75645S3ST onsemi

FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+135.64 грн
1600+111.84 грн
2400+105.31 грн
5600+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75645S3ST onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75645S3ST за ціною від 146.95 грн до 224.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75645S3ST HUF75645S3ST onsemi FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.72 грн
10+181.63 грн
100+146.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST onsemi / Fairchild HUF75645S3S_D-2314315.pdf MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75645S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.72 грн
10+181.63 грн
100+146.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3S_D-2314315.pdf
HUF75645S3ST
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.