Продукція > ONSEMI > HUF75645S3ST
HUF75645S3ST

HUF75645S3ST onsemi

FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+135.64 грн
1600+111.84 грн
2400+105.31 грн
5600+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75645S3ST onsemi

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції HUF75645S3ST за ціною від 121.55 грн до 280.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75645S3ST HUF75645S3ST onsemi FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.72 грн
10+181.63 грн
100+146.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST onsemi / Fairchild HUF75645S3S_D-2314315.pdf MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST ONSEMI 2729318.pdf Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3ST ONSEMI 2729318.pdf Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST ON Semiconductor FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST ON Semiconductor FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.80 грн
10+238.27 грн
25+182.55 грн
100+160.93 грн
250+128.64 грн
500+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75645S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.72 грн
10+181.63 грн
100+146.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST HUF75645S3S_D-2314315.pdf
HUF75645S3ST
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST 2729318.pdf
HUF75645S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST 2729318.pdf
HUF75645S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+149.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+280.80 грн
10+238.27 грн
25+182.55 грн
100+160.93 грн
250+128.64 грн
500+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.