
HUF75852G3 Fair

Код товару: 160801
Виробник: FairUds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400
у наявності 4 шт:
4 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 590.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HUF75852G3 за ціною від 558.50 грн до 964.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75852G3 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75852G3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75852G3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||
HUF75852G3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
HUF75852G3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HUF75852G3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
HUF75852G3 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
HUF75852G3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |